MOS AlGaN/GaN HEMT研制与特性分析

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：out000

【摘要】

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研制出在蓝宝石衬底上制作的MOS AlGaN/GaN HEMT.器件栅长1μm,源漏间距4μm,采用电子束蒸发4nm的SiO2做栅介质.在4V栅压下器件饱和电流达到718mA/mm,最大跨导为172mS/mm,ft

【作者】

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王冲岳远征马晓华郝跃冯倩张进城

【机构】

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西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2008年8期

【关键词】

：

高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN 介质栅 high electron mobility transistors AIGaN/GaN dielectri

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研制出在蓝宝石衬底上制作的MOS AlGaN/GaN HEMT.器件栅长1μm,源漏间距4μm,采用电子束蒸发4nm的SiO2做栅介质.在4V栅压下器件饱和电流达到718mA/mm,最大跨导为172mS/mm,ft和fmax分别为8.1和15.3GHz.MOS HEMT栅反向泄漏电流与未做介质层的肖特基栅相比,在反偏10V时由2.1×10-6mA/mm减小到8.3×10-9mA/mm,栅漏电流减小2个数量级.MOS AlGaN/GaN HEMT采用薄的栅介质层,在保证减小栅泄漏电流的同

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