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通过求解二维泊松方程推导了一个简洁的短沟道MOS的阈值电压模型，得到的DIBL因子可用于分析参数对短沟道效应的影响。模拟的结果能很好地与数值模拟器MINIMOS的结果符合。
短沟道MOS阈值电压物理模型
【摘 要】
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通过求解二维泊松方程推导了一个简洁的短沟道MOS的阈值电压模型，得到的DIBL因子可用于分析参数对短沟道效应的影响。模拟的结果能很好地与数值模拟器MINIMOS的结果符合。
【机 构】
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清华大学微电子学研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2003年2期
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