漂移区相关论文
基于STI（Shallow Trench Isolation）的LDMOS（Laterally Diffused Metal-OxideSemiconductor Field-Effect Transistor）器件由于耐压高......
电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技......
为了获得4H-SiC横向BJT器件高耐压下的高电流增益,文中通过降低漂移区的掺杂浓度(NDRI),使得漂移区内靠近基极方向的电场强度降低,......
介绍了1 700 V SiC SBD器件的结构设计、制造工艺、静态特性测试及可靠性摸底试验。通过模拟仿真得到了最佳的漂移区结构和器件结......
采用沟槽栅结构、软穿通(SPT)技术和载流子存储层技术研制出一款增强型沟槽栅型(TMOS+)3 300 V IGBT芯片,其具有更低通态压降、更......
通态损耗及开关损耗的降低是高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)设计与制造的关键。基于"U"形增强型双扩散金属氧化物半导体(DMOS~+)元胞......
由于硅材料本身的限制,传统硅电力电子器件性能已经接近其极限,碳化硅(SiC)器件的高功率、高效率、耐高温、抗辐照等优势逐渐突显,......
基于半导体物理和IGBT基本结构,深入论述了IGBT关断机理,推导出IGBT关断时间随电压和电流的变化规律:关断时间随电压的增大而增大,......
以美国 Y1 4.5.1 M- 1 994标准为标志的公差数学定义理论使以两点测量法为基础的传统公差理论面临挑战。基于漂移区的尺寸公差语义......
本文研讨了不同类型的超结器件实现低于250V击穿电压的可扩展性.以额定击穿电压为80V的超结功率MOSFET为例,研究了器件几何构造和......
研究太赫兹(THz)频点的返波振荡器(BWO)设计问题。由于信号源被加载不同位置的漂移区对于矩形波导光栅式返波振荡器输出信号的功率......
此处主要对LDMOS栅漏电容（CGD）进行分析与计算,并借助二维器件模拟软件MEDICI模拟并分析了栅漏电容与漏源电压的关系,通过计算得到的......
借助半导体工艺模拟软件Tsuprem4和Medici，对耐压500V的体硅N-LDMOS器件进行详细模拟。在模拟过程中，综合考虑了内场限环和场极板技......
给出了漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的设计原理和方法.在Si膜厚度为0.15μm、隐埋氧化层厚度为2μm的SOI硅片上进行了LDMOS......
本文讨论了考虑空间电荷效应的漂移区三维场计算方法，根据漂移区的特点对模型进行了简化，可以很方便地求出场分布，大大缩短了计算时间......
借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件的衬底浓度、漂移区注入剂量、金属场极板长度等参数与击穿电压之间的关......
基于高压VDMOST的物理机理和特殊结构,详细分析、推导了漂移区电阻、埋层电阻、内部节点电压及内部耗尽层宽度随外加偏压变化而变......
提出了一种具有深阱结构的RFLDMOS，该结构改善了表面电场分布．从而提高了器件的击穿电压．通过sil—vaco器件模拟软件对该结构进行验证......
提出了一种具有阶梯浅沟槽隔离结构的LDMOS.阶梯浅沟槽结构增加了漂移区的有效长度,改善了表面电场及电流的分布,从而提高了器件的......
本文提出了偏置栅MOS管漂移区离子注入剂量对表面电压和PN结边界电场两者关系的一种新的分析模型,借助数学推导得到该模型的计算方......
借助ISE软件,以调试后各参数性能优良的图形化SOI LDMOS器件为仿真平台,研究并分析了栅氧化层厚度,漂移区浓度,沟道浓度,SOI层厚度......
高低压兼容工艺对LDMOSFET漂移区的各参数设计提出了更高的要求.结合实际工艺,对LDMOSFET漂移区的长度、结深、浓度等进行了灵敏度......
本文提出一种具有高斯型的倾斜表面漂移区的LDMOS结构。P阱、沟道、源区、栅极等位于高斯中心的一侧,而漏端位于高斯中心的另一侧......
大功率半导体器件是现代工业和国防进行能量转换及控制的核心器件,也是制约我国电力电子技术水平和竞争力提升的关键器件.本文以降......
现有的公差语义与由 CMM 测得数据的分析验证计算不一致，存在“计量危机”，从而引发了各种公差数学定义理论及验证技术的研究。本文......
借助软件,模拟并研究了SOI LDMOS栅漏电容Cgd与栅源电压Vgs和漏源电压Vds的关系;研究了栅氧化层厚度,漂移区注入剂量,P阱注入剂量,......
介绍了一种改进型RFLDMOS器件。通过对传统RFLDMOS器件的工艺流程进行修改，并在漂移区上方引入场氧化层结构，改善了器件的准饱和现象......
建立了高压SOI-LDMOS截止频率ft的提取方法，并借助半导体器件专业软件Tsuprem-4和Medici，对截止频率ft与栅源电压Kgs和漏源电压Vds的......
借助半导体专业软件Tsuprem-4和Medici详细研究了漂移区的长度、浓度以及结深，沟道区的长度、浓度，场极板的长度对高压PLDMOS击穿电......
文章主要介绍了在0．5μm5VCMOS标准制造工艺的基础上，不改变其工艺制造流程及其掺杂浓度，借助Synopsys模拟软件详细分析讨论了高压N—......
近年来,LDMOS由于其漏极、栅极和源极都在芯片表面,易于和低压器件集成,因而被广泛应用到功率集成电路和射频领域,一直以来,高压LD......
LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）由于可以承受一定的高电压、同常规CMOS平台容易兼容等特点,集成生产出的芯片兼备了耐压、低能耗、......
期刊
为了克服传统功率MOSFET通态电阻和击穿电压之间的矛盾，引入了超级结（sJ）器件，通过引入横向电场来提高击穿电压．针对工艺中非对称pillar......
为了设计一款100V体硅N-LDMOS器件，通过借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件衬底浓度、漂移区参数、金属场极......
为了不增加器件成本，方便和低压器件集成到一起时实现自主隔离，因而迫切需要解决既能兼容普通半导体材料工艺又能达到相应技术性能要......
介绍了一种与常规CMOS电路兼容的高压CMOS电路版图设计及工艺加工技术。在该技术中采用了非自对准的场区掺杂,增加场区掺杂浓度,轻......
功率MOS是在集成电路工艺基础上发展起来的新一代电力电子开关器件。LDMOS器件和VDMOS器件是功率MOS的典型代表,也是功率集成电路......
借助软件模拟从器件结构和工艺参数角度研究了LDMOS漏电容Cd的非线性和源漏电压Vds的关系,研究了漂移区注入剂量、高压场板长度、......
<正> 功率半导体器件包括功率二极管、功率开关器件与功率集成电路。功率半导体器件技术是电力电子技术的基础与核心。它是微电子......
本文首次采用解析方法及二维计算机模拟讨论了ＲＥＳＵＲＦ原理应用于ＳＯＩＬＤＭＯＳ晶体管．研究表明：击穿电压随埋层ＳｉＯ２厚度增加而增加；击穿电压随Ｓｉ层厚度变化呈现Ｕ型......
基于高压VDM O S器件的物理机理和特殊结构,对非均匀掺杂沟道、漂移区非线性电阻及非线性寄生电容效应进行分析,用多维非线性方程......
在这个快速发展的社会中,高压集成电路被广泛的应用在各个领域,而在高压集成电路中,LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semico......
高压功率集成电路在电机驱动电路、工业控制电路、汽车电子领域、开关电源等方面获得广泛使用。高压功率器件、高-低压等兼容工艺......
LDMOSFET(Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Tran-sistor,横向扩散金属氧化物半导体场效应管)是高压功......
随着半导体结构和工艺等方面的研究和集成电路(IC)设计与优化技术的进一步前进,高压功率器件越来越成为不可或缺的元器件基础。可......
