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本文研讨了不同类型的超结器件实现低于250V击穿电压的可扩展性.以额定击穿电压为80V的超结功率MOSFET为例,研究了器件几何构造和结构对其品质因数的影响.同时提出了对超结效应的全新电场理论阐释,并使用超结器件交错漂移区中的横向场分布情况予以证实.此外,文章还简要讨论了超结器件的边缘端接.
低压超结技术
【摘 要】
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本文研讨了不同类型的超结器件实现低于250V击穿电压的可扩展性.以额定击穿电压为80V的超结功率MOSFET为例,研究了器件几何构造和结构对其品质因数的影响.同时提出了对超结效
【机 构】
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Vishay Siliconix公司
【出 处】
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中国电子商情·基础电子
【发表日期】
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2011年1期
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