【摘 要】
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采用高温固相法获得了一种只具有微弱余辉的新型电子俘获型光存储材料Sr2SnO4:Tb3+,Li+.发光性能研究结果表明:该材料对980/nm的红外激光具有很好的上转换光激励信息读出响应
【机 构】
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兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室;
【基金项目】
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国家自然科学青年基金(批准号:10904057);国家大学生创新性实验计划(批准号:101073005);中央高校科研业务费(批准号:Lzjbky-2011-125)资助的课题~~
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采用高温固相法获得了一种只具有微弱余辉的新型电子俘获型光存储材料Sr2SnO4:Tb3+,Li+.发光性能研究结果表明:该材料对980/nm的红外激光具有很好的上转换光激励信息读出响应,同时292 nm紫外光为其最佳信息写入光源.光存储性能研究结果表明:该材料的浅陷阱较少,因此其余辉发光很弱,不到500 s;另一方面,该材料中存在大量的深蓄能陷阱.因此,Sr2SnO4:Tb3+,Li+是一种具有较好实际应用价值的新型电子俘获型光存储材料.此外,还讨论了Sr2SnO4:Tb3+,Li+的光存储发光机理.
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