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用CCI4作为掺杂剂．进行了掺碳AlGaAs层的LP-MOCVD生长．并对其掺杂特性进行了研究．分析了各生长参数对掺杂的影响；研制了碳掺杂AlGaAs限制层808nm大功率半导体激光器；激光器单面连续波输出功率大于1W,功率效率为0．7W／A。
碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器
【摘 要】
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用CCI4作为掺杂剂．进行了掺碳AlGaAs层的LP-MOCVD生长．并对其掺杂特性进行了研究．分析了各生长参数对掺杂的影响；研制了碳掺杂AlGaAs限制层808nm大功率半导体激光器；激光器单面连
【机 构】
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南京电子器件研究所,长春光学精密机械学院
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2004年2期
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