异质结双极晶体管相关论文
异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transisitor,HBT)因其优良的高频性能及其与硅基CMOS工艺兼容的优点,使之成为毫米波频......
基于Sanan 2 μm GaAs HBT工艺,提出了一种差分Colpitts结构的高功率低相位噪声正交压控振荡器(QVCO).该QVCO采用四只环形连接的二......
近年来，电信网、计算机网、英特网以及通信与多媒体技术的迅猛发展使得人们对数据信息的需求量持续增加，光纤通信的发展满足了人们对......
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采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计实现了一款用于3GPP WCDMA 850/2100(band-I/band-V)的双频单芯片功率放大器(PA)。PA采用单端共......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
对制作的 Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多层异质外延结构进行了研究。并对其做了反射高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扩展电阻（ＳＲ）等测量，给出了利用这种结构研制出的异质......
介绍了一种 Si Ge/Si分子束外延异质结双极晶体管 ( HBT)的研制。该器件采用 3μm工艺制作 ,测量得其电流放大系数β为 50 ,截止效......
探索利用反应离子刻蚀 ( RIE)和湿法腐蚀 Si1-x Gex 合金材料的工艺条件。对两种腐蚀方法的利弊进行了对比 ,找出腐蚀 Si1-x Gex ......
建立了多发射极指功率SiGe HBT的热电反馈模型,研究了发射极指间距的变化对多指功率SiGe HBT表面温度分布的影响。在此基础上,提出......
介绍了一种基于HICUM模型建立高速锗硅异质结双极可缩放模型的流程,结合一批不同物理设计尺寸晶体管的测试数据,建立了HICUM模型参......
利用发射极金属掩蔽进行内切腐蚀的方法研制成自对准InGaP/GaAs异质结双极晶体管 (HBT),其特征频率(ft)达到54GHz,最高振荡频率(fm......
介绍了新型GaInNAs系低功耗异质结双极晶体管(HBT)的设计思想和最新研究进展,并展望了其在低功耗高速集成电路和长波长光电集成电......
设计并研制了共振隧穿二极管(RTD)与异质结双极晶体管(HBT)单片集成负阻逻辑单元。详细介绍了逻辑单元的材料结构及工艺流程的设计......
文章论述了SiGe异质结双极晶体管(HBT)在微波功率领域应用的优势,详细介绍了微波功率SiGe HBT的结构设计方法,以及主要影响器件性......
利用 Z参数噪声网络等效电路的分析方法 ,得到了用器件 Z参数表示的微波双极晶体管噪声参数的表达式 ,通过对微波低噪声双极晶体管......
建立了SiGe HBT热电反馈模型,对基区Ge组分矩形分布、三角形分布和梯形分布的SiGe HBT的热特性进行研究。结果表明,在Ge总量一定的......
提出一种自适应线性化偏置的电路结构,通过调节控制电压改变偏置管的工作状态,提高功率放大电路的线性度,降低偏置电流对参考电压......
提出了一个T等效异质结双极晶体管高频噪声电路模型.该模型是对通常用在硅双极晶体管中的Hawkins噪声模型进行改进得到的,主要的改......
研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE500,并生长了器件级SiGe HBT材料.研制了具有优良小电流特性的......
利用硅双基区晶体管(DUBAT)产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT(NDRHB......
设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电......
提出了发射极非均匀指间距技术以增强多发射极指SiGe HBT在不同环境温度下的热稳定性。通过建立热电反馈模型对采用发射极非均匀指......
采用气态源分子束外延( GSMBE)技术,以四溴化碳( CBr4)作为碳杂质源,系统研究了 InP衬 底上碳掺杂 p型 InGaAs材料的外延生长及其......
锑化物异质结晶体管是新型的高速低功率电子器件,航天上具有良好的应用前景,但是对其耐辐照能力的研究并不深入。本文利用低频噪声......
分析了MOCVD AlGaAs/GaAs HBT外延材料生长中基区、发射区异质结界面与P-N结界面产生偏离的原因,计算了外延生长参数对结偏离的影......
文章对突变反型异质结的能带图、接触电势差和势垒区宽度进行了讨论和研究.同时,介绍了基于分子束外延(MBE)法生长的SiGe/Si结构的......
研制了一种平面集成多晶发射极SiGeHBT。经测量，在室温下电流增益β大于1500，最大达到2800，其Vceo为5V，厄利（Early）电压VA大于10V，pVA乘积......
硼的瞬时增强扩散（TED）所造成的外扩散将对双极晶体管的性能产生不利影响。在HBT的SiGe区加入C（＜10^20cm^-3），能够抑制掺杂硼的外扩散。......
从器件I-V特性的角度，表征了射频功率异质结双极晶体管（HBT）的自加热效应。研究了器件热阻、工作电压、电流增益、发射结价带不连续性......
介绍了SiGe异质结双极晶体管的特点，对SiGe异质结双极晶体管的物理机理进行了讨论，进而分析了影响其可靠性的各种可能N素，总结了目前S......
给出了fr为15 GHz的SiGe HBT器件的高频小信号等效电路模型;运用微波网络理论,在Matlab软件平台上模拟出器件的S参数和H21参数曲线......
用MBE（分子束外延，MolecularBeamEpitaxy）生长的材料研制了在低温工作的SiGe/SiHBT（异质结双极型晶体管，HeterojunctionBipolarTransist......
分析了不同温度下超薄基区SiGe HBT中载流子温度及扩散系数随基区结构参数的变化,并给出了实验比较.......
讨论了X波段功率异质结双极晶体管(HBT)的设计,介绍了器件研制的工艺过程及测试结果.研制的器件在X波段功率输出大于5 W,功率密度......
在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制,建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长SiGe/S i材料的原位掺杂......
提出一种求解异质结双极晶体管(HBT)小信号等效电路模型的解析方法.在提取过程中,采用集电极开路测量和直流测量相结合的方法,精确......
在HBT工艺基础上,通过对器件结构的特殊设计,研制出了一类新型三端负阻器件,其恒压控制型负阻的PVCR大于800,并伴有恒流控制型负阻......
设计并制备了三种不同集电结结构的AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管,计算给出了三种集电结能带结构.通过对三种HBT的直流特性测试表......
对改进型结构具有零导带势垒尖峰的缓变InGaP／AlGaAs／GaAsHBT器件的直流和高频特性进行了理论探讨，并同传统突变结构的InGaP／GaAsHBT的......
负阻型HBT既保持了原HBT高频、高速的特点,同时又具有负阻、双稳、自锁等特性,是一种极具研究价值的新型负阻器件。该文从Early效......
采用一维有限差分方法,对生长在Si(001)衬底上的Si0.8Ge0.2应变基区异质结双极晶体管(HBT)与Si同质结双极晶体管(BJT)的直流特性进......
基于SiGe HBT（异质结双极晶体管）大信号等效电路模型，建立了SiGe HBT大信号发射结扩散电容模型和集电结扩散电容模型．该模型从SiGe HBT......
常规工艺制作的SiGe/Si HBT高频噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,为减小基极电阻从而达到改善其高频噪声的目的,本文采......
射频集成电路的性能很大程度受到封装的影响,与集成电路设计和制造工艺相比,封装技术并没有受到相应的关注。用一种新的键合线匹配......
介绍了C波段宽带固态功率放大器的设计方法和实际测试结果。该放大器用于某雷达发射组件推动级，采用GaAs HBT器件，宽带匹配电路、直......
研制了一种平面集成多晶发射极SiGe HBT。经测量，在室温下电流增益β大于1500，最大达到2800，其Vceo为5V，厄利（Early）电压VA大于10V，βVh乘......
阐述了近来毫米波器件及电路的技术动向.异质结FET和HBT在InP系突现出优越的性能,在GaAs系已完全进入系统应用阶段.在此应用观点的......
