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静电放电（Electro static Discharge,ESD）对人类来说是一种随处可见的现象,通常可以通过接触带静电物体产生,是人类生活中的一个小惊......
随着先进半导体制造技术的不断发展,静电放电（Electrostatic Discharge,ESD）逐渐成为集成电路可靠性的主要威胁,所以研究出有效且合......
随着科技的进步和发展,汽车电子、手机、超薄笔记本电脑以及智能家居等一系列电子产品已经出现在了人们日常的生活中,也使得高压工......
静电放电 （ESD） 防护结构的维持电压是决定器件抗闩锁性能的关键参数，但ESD器件参数的热致变化使得防护器件在高温环境中有闩锁风险。......
SiGe BiCMOS工艺将传统CMOS工艺低成本、高集成度的优势与SiGe工艺出色的射频（RF）性能相结合,已广泛应用于毫米波和亚毫米波市场。该......
非对称双向可控硅(ADDSCR)是在考虑了保护环结构之后,为使I-V特性曲线对称而设计的非对称结构,但是其维持电压较低,容易闩锁.为了......
静电放电(Electro Etatic Discharge,ESD)已成为集成电路产品失效的一个主要原因,随着工艺技术的进步,器件的特征尺寸越来越小,芯......
随着制造工艺尺寸的缩小和电路复杂度的提升,静电放电(ESD)对集成电路(Integrated circuit,IC)芯片的影响愈发不容忽视,业界每年由......
针对传统片上静电放电(ESD)防护器件双向可控硅(DDSCR)的低维持电压特性,设计了一种内嵌多MOS管的新型DDSCR.通过多MOS管组成的旁......
针对双向可控硅(DDSCR)易发生闩锁效应的问题,提出了一种多路高维持电压DDSCR(MHVDDSCR).在器件的两边嵌入NMOS管,构成电流通路,抽......
针对5V电源的静电放电(ESD)防护,提出一种利用PMOS管分流的新型优化横向可控硅(PMOS-MLSCR).相比于传统MLSCR,PMOS-MLSCR具有更高......
为解决闩锁效应,设计了一种新颖的异质结双极晶体管触发可控硅(NHTSCR).利用异质结晶体管串联反向异质结晶体管来分流SCR的方法,抑......
