【摘 要】
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针对双向可控硅(DDSCR)易发生闩锁效应的问题,提出了一种多路高维持电压DDSCR(MHVDDSCR).在器件的两边嵌入NMOS管,构成电流通路,抽取阱内的空穴与电子,促使反偏PN结内电场增
【机 构】
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郑州大学信息工程学院,郑州,450000;电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610000
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针对双向可控硅(DDSCR)易发生闩锁效应的问题,提出了一种多路高维持电压DDSCR(MHVDDSCR).在器件的两边嵌入NMOS管,构成电流通路,抽取阱内的空穴与电子,促使反偏PN结内电场增强,提高了维持电压.采用Sentaurus TCAD进行了仿真验证.结果 表明,相比于传统LT DDSCR,MHVDDSCR的触发电压降低了0.61 V,维持电压从2.10V提高到7.13V.该器件适用于狭窄ESD设计窗口的模拟IC的双向静电防护.
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