【摘 要】
：
研究了部分耗尽绝缘体上的硅(PDSOI)SCR结构ESD特性，提出了一种新的SCR结构，并测试出了其ESD，1-V特性和抗闩锁性能。该结构通过采用VSTI层减薄沟道区厚度，可以很容易获得维持
【机 构】
：
中国科学院微电子研究所,北京 100029
【出 处】
：
第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
论文部分内容阅读
研究了部分耗尽绝缘体上的硅(PDSOI)SCR结构ESD特性，提出了一种新的SCR结构，并测试出了其ESD，1-V特性和抗闩锁性能。该结构通过采用VSTI层减薄沟道区厚度，可以很容易获得维持电压连续可调的ESD防护用SCR器件，配合串联二极管的方法，能提供各种维持电压需求ESD防护用的SCR结构。
其他文献
提问是课堂教学过程中的一项重要步骤,其也是师生互动交流的重要途径,好的提问不仅能开发学生智力、提高教学效率,而且能活化课堂氛围、唤起学生参与欲望,在新教育时代下,为
目前,多媒体在小学语文教学中已经得到广泛应用,多媒体的引入使得语文课堂变得丰富多彩,进而提升了小学生对语文课堂的兴趣.本文将多媒体教学和小学语文教学的结合进行研究,
目前多数研究人员主要从电路分析角度研究CMOS器件闩锁效应，缺乏对该失效现象触发机理的研究。针对该现状，从半导体器件物理的角度通过选取相应PNPN模型，分析临近雪崩击穿(n
插图作为教材的重要组成部分,是学生获得知识的重要资源之一,随着“读图”时代的到来,插图在学生的学习过程中所起的作用也到了前所未有的地步.语文教材中的插图,是教材的重
器件的浅槽隔离区域(STI)能够通过热失配在器件的沟道区引入压应力来提高PMOS的性能。使用了TCAD仿真工具在90nm，45nm、32nm技术节点下，研究了STI侧墙倾角(α)对PMOS器件沟
利用Synopsys TCAD工具，对基于中国科学院微电子所开发的0.35μmPDSOI器件工艺进行单粒子翻转的模拟和分析。结合激增电流的物理意义，提出合理的数学模型，推导出描述此电流
随着教学改革的不断深入,初中语文教师们需要认识到写作能力的培养对学生具有不可替代的作用.很多学生写作时常常眉头紧锁不知道写什么,胡编乱造拼凑字数.所以在初中语文教学
在现代教育中,不仅重视对学生的“传道授业解惑”,同样也重视对学生综合素质的培养,而创新意识就是学生所必须具备的一项重要素质,也是现代社会对人才的一项基本要求.因此,在
由于部分耗尽(PD)SOIMOS器件的浮体效应，在PDSOIMOSFET输出特性曲线中明显表现出记忆效应。在器件I-V特性曲线测试中，正向扫描与反向扫描的差值定义为ID-hygteresis·ID-hy
阅读是小学语文教学中的重要任务,在提高学生思维能力、语言表达上都具有着无法替代的作用.强化阅读教学、提高学生语文质素质是每一个小学语文教师的责任义务.因此,教学工作