【摘 要】
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由于部分耗尽(PD)SOIMOS器件的浮体效应，在PDSOIMOSFET输出特性曲线中明显表现出记忆效应。在器件I-V特性曲线测试中，正向扫描与反向扫描的差值定义为ID-hygteresis·ID-hy
【机 构】
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中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050 中科院北京研究生院,北京 100049
【出 处】
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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由于部分耗尽(PD)SOIMOS器件的浮体效应，在PDSOIMOSFET输出特性曲线中明显表现出记忆效应。在器件I-V特性曲线测试中，正向扫描与反向扫描的差值定义为ID-hygteresis·ID-hysteresis成功表征了背栅偏置对PD SOI MOSFET记忆效应的影响.研究结果显示，对于0.13μm的PD SOI MOSFET，器件的记忆效应对背栅偏置敏感，但是ID-hygteresis随背栅偏置并不单调变化。基于背界面与Shockley-Reed-Hall(SRH)复合理论，揭示了PDSOI MOSFET记忆效应受背栅偏置影响的规律。
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