【摘 要】
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<正> LSI制作不仅要求硅材料均匀性好、杂质含量少,并且对材料加工也有严格的要求。它要求单晶片经过切、磨、抛后表面平整度高及表面具有与体内材料相当的完整性。大面积的
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<正> LSI制作不仅要求硅材料均匀性好、杂质含量少,并且对材料加工也有严格的要求。它要求单晶片经过切、磨、抛后表面平整度高及表面具有与体内材料相当的完整性。大面积的光刻工艺要求平整度高,而表面加工缺陷经常引起制管质量及成品率下降从而严重影响LSI的制作。 机械抛光及化学抛光,前者由于完整性差,后者由于平整度差,均不能适应LSI制作的需要。三氧化铬抛光工艺由于铬的硬度高、粒度大常使加工晶片的完整性达不到要求。铜离子抛光工艺虽然能满足LSI制作的需要,但由于易引入铜沾污及在实践过程中感到它的工艺条件受单晶导电类型和电阻率影响较大,不易控制,对于生产品种较多的器件厂不很适用。二氧化硅（SiO2）抛光工艺不仅加工质量能达到LSI的加工要求,而且工艺条件不受材料、导电类型和电阻率影响,最适合于器件厂的使用。 在七四年我厂部份产品中采用了SiO2抛光工艺,取得了一定效果,向大家作些汇报。
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