导电类型相关论文
利用热蒸发物理气相沉积法在300K的硅基底上制备了p型多晶PbSe薄膜,研究了氧敏化过程对其微观结构和电性能的影响。经XRD、XPS和SE......
本文主要介绍了使用酸腐机对硅片进行的酸腐蚀实验。通过混酸的温度和混酸中溶液的配比的改变、相同的条件下也会得到不同的腐蚀速......
Al Ga As材料是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,因其Al组分可调、与Ga As晶格失配小、载流子迁移率高,被认为是最重要的光电子和电......
真空蒸发在载玻片上沉积CuInS2薄膜(Cu、In、S原子配比为1:0.1:1.2)。摸索CuInS2薄膜发生导电类型转换最有效的热处理条件,研究不......
我们在学习磁场对运动电荷的作用--洛伦兹力的时候，物理课本中提到了其中的一个应用--霍尔效应。霍尔效应是美国物理学家霍尔于1879......
【摘 要】介绍了区熔单晶的原理，列举了硅多晶气氛区熔基磷检验过程中电阻率和导电类型异常的几情况，并对异常情况进行原因分析，对实......
制作并改进了传统的冷热探针测半导体导电类型的实验装置，即使传统冷热探针由原来固定的温度差改进为数值可变的量，作出p、n型硅半导......
权利要求1.一种有效提高输出功率的太阳能光伏组件,包括一系列串联在一起的太阳能电池片,每个电池片包含一个半导体材料的基底,导......
采用一种新的双电测组合法测试半导体材料的方块电阻和体电阻率,改进了传统直流四探针测试法。以凌阳SPCE061A单片机为控制核心,通......
本发明公开了一种纳米硅薄膜，其采用等离子化学汽相沉积法，在PECVD设备中生长制备，产品的晶粒大小为d=（2—6）纳米，晶态体积百分比Xc=（53&#......
高速发展的信息产业对集成电路器件集成度的要求越来越高,这促使人们不断探索能够突破器件尺寸极限的途径。由于纳米材料具有独特......
<正>1概述黄铁矿是金矿床中常见的主要金属硫化物,同时也是金的主要载体矿物,因此研究黄铁矿标型特征对指导金矿的找矿非常重要。......
SiC和ZnO属于第三代宽禁带半导体材料,它们都有很多优良的性能,所以一直都是人们研究的热点。SiC是一种典型的宽禁带半导体材料,迁......
制作并改进了传统的冷热探针测半导体导电类型的实验装置,即使传统冷热探针原来固定的温度差改进为数值可变的量,做出了p、n型硅半......
用MOCVD方法在Si基片上生长了Al掺杂的SiC薄膜,发现三甲基铝（TMA）源载气流量与硅烷流量之比的大小,会决定薄膜的导电类型。用XPS方法......
<正> LSI制作不仅要求硅材料均匀性好、杂质含量少,并且对材料加工也有严格的要求。它要求单晶片经过切、磨、抛后表面平整度高及......
采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n......
期刊
文章对DLY-2型P-N导电类型鉴别仪的原理、结构及计量特性进行了阐述,给出了校准P-N导电类型鉴别仪的方法,并对本仪器校准结果进行......
目前,晶圆导电类型测试设备大多为模拟式,可视化程度较低,不便于后续开发,并且功能上局限于对导电类型的区分。针对这一现状研制了......
导电类型、方块电阻和电阻率是半导体材料最重要的特性参数,通过对其判别和测量,可以掌握不同种样品中杂质浓度的分布情况。因此,......
采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n......
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