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横跨多重电子应用领域的半导体供应商意法半导体推出业界首款采用深受市场欢迎的TO-247封装的650V AEC-Q101汽车级MOSFET——STW78N65M5和STW62N65M5。
在高压脉冲环境中，650V额定电压能够为目标应用带来更高的安全系数，有助于提高汽车电源和控制模块的可靠性。这两款器件导通电阻[RDS（ON）] 极低，分别为0.032和0.049，结合紧凑的TO-247封装，可提高系统能效和功率密度。
新产品的市场领先的性能归功于意法半导体的MDmesh V超结（super-junction）技术。此项技术可生产单位硅面积导通电阻RDS（ON）极低的高压器件，使芯片的封装尺寸变得更小。栅电荷（Qg）和输入电容也极低，因此，Qg×RDS（ON）品质因数（FOM，figure of meric）极其出色，开关性能和能效异常优异。此外，优异的抗雪崩（avalanche）性能可确保器件在持续高压运行环境中提高耐用性。
MDmesh V整合意法半导体专有的垂直式工艺和经过市场检验的PowerMESH水平式架构，导通电阻较同级别的MDmesh II器件降低大约50%。意法半导体采用TO-247封装的650V汽车级MOSFET现已量产。
在高压脉冲环境中，650V额定电压能够为目标应用带来更高的安全系数，有助于提高汽车电源和控制模块的可靠性。这两款器件导通电阻[RDS（ON）] 极低，分别为0.032和0.049，结合紧凑的TO-247封装，可提高系统能效和功率密度。
新产品的市场领先的性能归功于意法半导体的MDmesh V超结（super-junction）技术。此项技术可生产单位硅面积导通电阻RDS（ON）极低的高压器件，使芯片的封装尺寸变得更小。栅电荷（Qg）和输入电容也极低，因此，Qg×RDS（ON）品质因数（FOM，figure of meric）极其出色，开关性能和能效异常优异。此外，优异的抗雪崩（avalanche）性能可确保器件在持续高压运行环境中提高耐用性。
MDmesh V整合意法半导体专有的垂直式工艺和经过市场检验的PowerMESH水平式架构，导通电阻较同级别的MDmesh II器件降低大约50%。意法半导体采用TO-247封装的650V汽车级MOSFET现已量产。