【摘 要】
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双立互锁存储单元（DICE）,在保持状态下是一种可靠有效的单粒子翻转（SEU）加固方法,但是,基于DICE单元的SRAM在读操作下会发生抗SEU失效.相比抗单个敏感节点翻转的效果,DICE抗多个
【机 构】
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江南大学物联网学院工程学院,中国电子科技集团公司第58研究所
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双立互锁存储单元（DICE）,在保持状态下是一种可靠有效的单粒子翻转（SEU）加固方法,但是,基于DICE单元的SRAM在读操作下会发生抗SEU失效.相比抗单个敏感节点翻转的效果,DICE抗多个敏感节点翻转的能力较弱.为此,在DICE结构的基础上采用读写分离机制,以解决DICE单元在读写过程中的节点翻转问题.同时,根据电阻加固原理,在DICE存储单元的节点之间增加NMOS管,即TDICE（Transistor DICE）结构,其利用晶体管隔离反馈回路中的节点间的连接,提高了SRAM的抗多节点翻转能力.Sp
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