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在DSS法多晶硅生长中，为了降低氧碳含量，作者利用CGSim软件，分析了三种传统氩气导流系统的优缺点，以此为基础设计了一种中心和侧面双排气的新型导流系统，并对其进行了设计和数值模拟优化。模拟得出以下结论：多晶铸锭炉三种传统氩气导流系统中，石墨坩埚上部开大孔且有盖板时，有利于控制氧碳含量和固／液界面；新型多晶铸锭炉氩气导流系统中，中心氩气进口管伸入上盖板时，有利于降低多晶硅的氧碳含量；随着石墨坩埚上部开口高度h逐渐增大，中心出口氩气流速逐渐减小，侧面出口氩气流速增大，当h=20mm时，有利于降低多晶硅的氧碳