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在研制了AlGaN／GaN HEMT外延材料的基础上，采用标准工艺制作了2．5mm大栅宽AlGaN／GaNHEMT。直流测试中，Vg=0V时器件的最大饱和电流Jds可达2．4A，最大本征跨导Gmax为520mS，夹断电压Voff为-5V；通过采用带有绝缘层的材料结构及离子注入的隔离方式，减小了器件漏电，提高了击穿电压，栅源反向电压到-20V时，栅源漏电在10^-6A数量级；单胞器件测试中，Vds=34V时，器件在8GHz下连续波输出功率为16W，功率增益为6．08dB，峰值功率附加效率为43．0%；2．5