功率附加效率相关论文
本文报道了采用Ti/Au/Al/Ni/Au金属叠层的浅槽刻蚀欧姆接触（STEOC）来提高AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的直流和射频性能。制备器件实......
为适应当前5 G通信芯片趋于高效率化的发展趋势，介绍了一种28 GHz线性度好、效率高的Doherty功率放大器的设计。该功率放大器采用了......
4H-SiC材料以其宽禁带、高电子饱和漂移速度、高临界电场强度、高热导率等优良特性,在高频、高温、大功率、抗辐射等领域拥有广阔......
基于2 μm InGaP/GaAs HBT工艺,设计并实现了一种用于LTE终端的高效率、高线性功率放大器.采用模拟预失真和相位补偿器抑制幅度失......
现代无线通信系统为了提升信道容量、传输速率和可靠性,采用了高频谱利用率和强抗干扰能力的OFDM、MIMO-OFDM等技术。而这些技术的......
随着无线通信系统的逐步演变和发展，人们对数据速率、信号调制方式也有了更加高的需求。通信系统变得更加庞大和复杂，因此在通信过程......
采用GaAs离子注入工艺，研制了GaAsX／Ku波段单片功率放大器。放大器末级栅宽76mm，频率9—13GHz，增益大于9．5dB，输出功率3W（f＝11GHz时达4W），效......
Fujitsu Compound Semiconductor Inc.研制成17.5～31.5GHz 型号为 ES/FMM5804 VY 单片微波集成电路(MMIC)功率放大器。在此频率下,......
美国休斯研究所(HRL)称,他们制造出具有前所未有性能的两款GaN基HFET放大器MMIC。他们首先制造出33GHz(Ka波段)功放MMIC,其输出功......
针对ISO/IEC 18000-6C协议的应用要求,设计了一款应用于手持超高频无线射频识别(UHF RFID)读写器输出端的两级SiGe功率放大器。在......
Northrop Grumman公司近期研发了一款氮化镓MMIC功率放大器,据称能获得Ka波段最大功率。这款27-30GHz的放大器在27GHz时,峰值功率......
MACOM发布一款高线性度6W功率放大器,适用于Ka波段高数据密度的卫星通信和5G无线接入网。裸片(MAAP-011140-DIE)具有24dB线性增益,......
基于0.25μm GaN双场板(DFP)高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款2~18 GHz连续波输出功率大于10 W的功率放大器微波单片集成......
4H-SiC作为第三代半导体材料,具有优异的材料特性,比如具有较宽的带隙,较高的导热性,较大的击穿场强和较高的饱和电子迁移率。这些......
随着微波功率器件的发展,4H-Si C MESFET器件因其在高功率、高频率和耐高温高压等方面的优良特性受到了人们的关注。在微波功率器......
随着5G时代的到来,无线移动通信技术的发展越来越需要极高的数据传输速率,由此超宽带技术和高频技术受到越来越广泛的关注。单片微......
随着宽禁带半导体材料与器件技术的不断成熟，其材料和器件方面的优势日益明显，并且在电力电子和照明工程等领域均获得了实用化。现代......
基于0.25 μm GaAs pHEMT工艺,设计了一种2～20 GHz的超宽带高效率功率放大器.该功率放大器采用非均匀分布式结构,可以为各级晶体管......
针对Doherty功率放大器传统设计方法的不足,提出了一种双匹配设计技术,并给出了实现方法。基于LDMOS器件,用该方法设计了一款饱和......
针对传统Doherty放大器在提高效率后会恶化线性指标的关键问题进行了分析与讨论.提出了一种基于二次谐波注入((SHD的Doherty结构.......
在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨......
本文采用电子设计自动化(EDA)软件对动态偏置射频功率放大器进行仿真设计.详细介绍了动态偏置功率放大器的工作原理及其实现方法.......
基于功率晶体管BLF6G21-10,采用负载牵引的大信号方法,实现了一种应用于TD-SCDMA基站系统的功率放大器。仿真和测试结果表明,设计......
采用发射极 基极金属自对准工艺 ,成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT .发射极尺寸为 (3μm× 15 μm)× 16的功率器件的截止频率和最......
采用Cree公司的GaN晶体管CGH40010,设计了一个工作在2.12 GHz,用于WCDMA的带有数字预失真的高效率F类功率放大器,以实现其高效率和......
针对低成本、大尺寸的GaN HEMT技术,回顾了近年来Si基GaN射频器件在大尺寸材料外延生长、器件制备工艺与单片集成电路等方面的国内......
基于0.15μm氮化镓高电子迁移率晶体管技术(GaN HEMT),研制了一款5G毫米波通信用高线性单片集成功率放大器。通过优化材料结构,使......
基于0．18μm CMOS工艺．采用包含增益驱动级在内的两级电路结构。设计了一个工作频率为2．4GHz的E类开关模式功率放大器，并实现了全片集......
针对目前第三代通信系统中OFDM信号的高峰均比特性，研究了高效率的Doherty功放结构。用ADS对Doherty功放和传统的AB类平衡放大器进......
提出了一种高效率逆F类GaN HEMT功率放大器设计方法,给出了GaN HEMT大信号优化模型,并基于负载牵引、源牵引和谐波负载牵引下进行......
F类功率放大器实现高效率的基本原理,是利用输出滤波器控制漏极输出的电压或电流波形。基于这一点,文中首先理论分析了在不同谐波......
为了更清晰地了解逆F类功率放大器通过规整漏极电压和电流波形实现高效率的本质,对其漏极电压波形进行了理论分析和仿真验证。结果......
为了提高在高速率信号传输下无线通讯发射系统中功率放大器的工作效率,提出了一种结构新颖的高效率F类功率放大器.通过计算机仿真......
设计了一种串联迭堆式偏置供电的毫米波功率放大器，其漏极供电电压高达＋24V。该功率放大器共包含4个单芯片功率放大模块，每个模块承受......
介绍了一种L波段星载高效固态功放,对其中末级功率放大器的设计、固放热设计以及技术指标进行了详细阐述。末级功率放大器基于国产......
为了有效实现高谐波抑制并提高功率附加效率,提出了一种适用于4G-LTE无线通信系统的高效F类功率放大器。该功率放大器使用了低电压......
3GPP长期演进（LTE）项目是近两年来3GPP启动的最大的新技术研发项目，为了满足3GPP对LTE项目的相关要求，必须提出在更高的频段设计高效功......
针对Doherty放大器设计中的几个关键问题进行了分析与讨论。通过理论分析,优化设计偏置电压,选择合适的补偿线长度和输入功分比,设......
设计了一种具有较高输出功率和较高功率效率的B类功率放大器,采用了负载牵引和源牵引的设计方法得出最大输出功率对应的最优负载阻......
为了解决功率放大器设计中输出功率和效率这对矛盾的性能。对参数指标之间如何折衷处理的问题，提出了一种利用负载牵引和源牵引相结......
对分布式放大器的工作原理和人工传输线的阻抗特性进行了分析，在此基础上采用0．18μmCMOS工艺设计并实现了一种具有三级增益单元的分......
根据F类功率放大器的电路结构特点，给出用LC匹配电路设计输出端的三阶谐波抑制网络的方法，设计了一款工作频率为3.5GHz的F类功率放大......
随着5G技术发展进程的加快,射频功率放大器的需求日益增加。在射频功率放大器中被普遍应用的LDMOS器件,其性能直接影响了射频功率......
利用自主研制的SiC衬底的栅宽为2.5 mm的AlGaN/GaN HEMT器件,设计完成了单级X波段氮化镓固态放大器模块.模块由AlGaN/GaN HEMT器件......
基站通信中,功率放大器常用的平衡式结构线性度高但效率低,在保证高线性度的前提下为提高效率,设计了一款反向Doherty结构的功率放......
针对功率放大器在宽频带范围内存在效率低、增益平坦度陡峭而导致导航定位系统能量利用率过低的问题,基于海威华芯0.25μm GaAs pH......
基于WIN InGaP/GaAs HBT工艺，设计了一款应用于LTE移动终端的射频功率放大器。该功放工作在AB类偏置状态，由三级放大电路级联构成，并......
