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近年来无线通信领域迅速发展,市场对固态功率器件的性能指标需求不断提高,这使得大功率高效率成为人们竞相研究的热点。相比于电真......
随着5G时代的到来,通信行业又有了一步大跨越式的发展,氮化镓（GaN）功率器件作为通信领域和半导体领域的交叉核心,其发展与应用也跟随......
随着通信技术的发展,对于远距离通信的需求越来越高,功率放大器作为发射机的最重要组成部分,客观上推动了功率放大器的发展。固态......
GaN材料具有宽禁带宽度、高耐受电压、高功率密度等特性,能够很好地满足功率器件在耐高温、大功率、高效率等方面的性能要求。本文......
随着无线电技术和网络技术的飞速发展,对通信能力的要求越来越高,通信系统呈现多频带、多模式、自适应的发展趋势,功率放大器作为......
基于南京电子器件研究所的0.5μm GaN HEMT工艺平台,研制了一款2~5 GHz宽带固态功率放大器。采用低通L-C匹配网络消除虚部阻抗,并......
针对射频收发前端对功放高效率、大功率的需求,采用内匹配技术,设计并实现了一款工作在0.9?1.1 GHz的高功率内匹配放大器.该放大器......
介绍了一款高压高功率GaN功率器件及其匹配电路.基于国内高压GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研究基础,选取了GaN HEMT芯片,确定了......
采用内匹配技术,使用两枚GaN HEMT晶体管,在X波段8.0～ 8.5 GHz频段内,设计并实现了一种高可靠性、高功率附加效率的功率放大器.基于......
近年来，民用移动通信技术和军事雷达技术迅速发展，均对无线信号的传输和发射质量提出了更高的要求。在移动通信基站和军事雷达中，射频......
学位
介绍一种大功率固态脉冲功放组件。该组件在 80 0 MHz中心频率处 ,峰值输出功率大于80 0 W,带宽 50 MHz,脉冲宽度 0 .8μs,脉冲工......
采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,成功制作四胞合成大功率高增益SiCMESFET。优化了芯片装配形式,采用内匹配技术提高了器......
期刊
介绍了一种基于GaAs HFET结构的S波段内匹配器件的设计方法。由于大栅宽器件模型难以准确确定,提取了具有相似结构的小栅宽器件模......
介绍了一种采用GaAs PHEMT管芯设计的超高频内匹配功率器件。为了在更高的频率获得较高的输出功率,采用0.25μm栅长的PHEMT工艺,制......
期刊
采用自主研发的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制了总栅宽为2mmGaN HEMT,利用负载牵引系统测试器件的阻抗特性,得出该器件源漏阻抗实......
报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附......
期刊
