采用自主研发的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制了总栅宽为2mmGaN HEMT,利用负载牵引系统测试器件的阻抗特性,得出该器件源漏阻抗实......

在HCl+GaCl3+H2O体系中,恒定五个总离子强度I=0.4,0.6,0.8,1.0,1.5 mol/kg,控制混合电解质中氯化镓离子强度分数YB=0.0, 0.1, 0.3,......