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采用直流磁控反应溅射法，分别在室温，200，300，400和500 ℃下制备了HfO2薄膜。利用X射线衍射（XRD）、椭圆偏振光谱（SE）和紫外可见光谱（UV-vis）研究了衬底温度对HfO2薄膜的晶体结构和光学性能的影响。XRD研究结果显示：不同衬底温度下制备的HfO2薄膜均为单斜多晶结构；随衬底温度的升高，（-111）面择优生长更加明显，薄膜中晶粒尺寸增大。SE和UV-vis研究结果表明：随衬底温度升高，薄膜折射率增加，光学带隙变小；制备的HfO2薄膜在250～850 nm范围内有良好的透过性能，透过