【摘 要】
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掩蔽层材料选择比低是硅高深宽比微结构实现的限制之一.为了获得高质量的掩蔽层材料,利用感应耦合等离子体（Inductively Coupled Plasma,ICP）刻蚀方法,选择SiO2,MgO,Al作为掩蔽
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掩蔽层材料选择比低是硅高深宽比微结构实现的限制之一.为了获得高质量的掩蔽层材料,利用感应耦合等离子体（Inductively Coupled Plasma,ICP）刻蚀方法,选择SiO2,MgO,Al作为掩蔽层材料,通过研究刻蚀过程中射频功率及气体流量对SiO2,MgO,Al及Si刻蚀速率变化的影响,获得了SF6等离子体对Si与SiO2,Si与MgO,Si与Al的选择比.结果表明：MgO薄膜作为掩蔽层、射频功率为800 W,气体流量为50 sccm或80 sccm是深刻蚀中适宜的工艺参数.
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