ICP刻蚀相关论文
窄线宽半导体激光器相比于传统激光器,具有光谱线宽窄以及相干性好的优势,是半导体激光器新兴应用,包括原子钟、医学传感、激光制......
采用AZ1500光刻胶作为掩模对GaAs和InP进行ICP刻蚀, 研究了刻蚀参数对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响。结果表明, 光刻胶的碳化变......
二氧化钛是一种非常有应用前景的材料。拥有独特的光催化特性,更有着非常好的光学性质,如折射率高、可见光到红外的宽透明窗口、低......
现代脉冲功率技术对于开关的要求越来越高,作为宽禁带半导体的典型代表,碳化硅(SiC)具有宽禁带高临界场强高热导率等优势。漂移阶......
低热导率介质层材料可以用于航空发动机涡轮叶片表面保护层等尖端领域,可缓冲外界热量进入合金基底,从而提高基底材料的耐高温和抗......
高场强非对称波形离子迁移谱(FAIMS)技术是一种广谱离子分离技术,它利用被测物质的离子迁移率在高低场强下的不同来实现物质的分离......
随着各种混合信号电路的性能和集成度的迅速提高以及对电路模块和元器件小型化的需要,集成无源技术成为一种取代分立无源器件以达......
采用溶胶-凝胶法,在Pt/Ti/SiO2/p-Si衬底上制备BNT(Bi3.15Nd0.85Ti3O12)薄膜,再采用ICP刻蚀工艺,对BNT薄膜进行刻蚀。当Ar∶Cl2的......
在N-on-P型In0.78Al0.22As/In0.78Ga0.22As外延材料上,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制备了背照射640×1线列InGaAs探测器芯......
波导表面粗糙度引起的散射损耗是SiO2光波导传输损耗的主要来源，通过降低表面粗糙度可以获得低损耗SiO2光波导。通过优化ICP干法刻......
采用CF4/O2作为刻蚀气体,对不同工作压强下ICP刻蚀SiC材料的刻蚀速率以及随之引入的刻蚀损伤进行了研究.结果表明,随着工作压强的......
随着Ⅲ族氮化物半导体材料研究的发展,Ⅲ族氮化物的图形刻蚀技术也得到了广泛研究.对Ⅲ族氮化物的各种刻蚀技术进行了详细总结和对......
硅通孔(TSV)通过缩短互连长度可实现低延迟、低功耗等目的。对应用于微光机电系统(MOEMS)集成的TSV工艺进行了研究,通过ICP-DRIE参......
本文首次概述了采用宽禁带半导体材料4H-SiC制备脉冲功率开关反向开关晶体管（RSD）所涉及到的关键工艺。包括选择性刻蚀、选择性掺杂......
在ICP（inductively coupled plasma）刻蚀后的硅模板上复制聚二甲基硅氧烷（PDMS）,经剥离得到含有一定尺寸的规则微柱阵列疏水表面.实验......
主要研究了硬盘磁头滑块二级台阶的刻蚀实验。首先研究了ICP刻蚀的刻蚀原理,然后根据二级台阶掩模版的设计要求,设计出掩膜版的图......
掩蔽层材料选择比低是硅高深宽比微结构实现的限制之一.为了获得高质量的掩蔽层材料,利用感应耦合等离子体（Inductively Coupled Pl......
介绍了改进GaN功率MMIC背面通孔工艺的相关方法,并对通孔进行了可靠性方面的测试与分析。通过优化机械研磨的方法,减薄圆片至75μm......
砷化镓（GaAs）基材料作为第二代半导体的代表,具有电子迁移率高、能量转换效率高、介电常数小等优点,作为制备光电子器件的材料有着无......
MEMS系统和器件作为半导体行业中的尖端产品,在制造过程中,其刻蚀工艺成为MEMS器件制作中一个重要的环节,因此对其刻蚀过程中的参......
基于硅-玻璃键合工艺的扭摆式加速度计,其信号输出对扭转梁上的应力极敏感,而微加工过程中由于硅、玻璃两种材料热膨胀系数不匹配,......
以无水乙醇为溶剂、柠檬酸为分散剂,用超声分散技术配制Ni纳米粒子分散液;将分散液用旋涂的方法在GaN基发光二极管(LED)的ITO电流......
介绍了一种在氮化镓外延片表面制备得到孔径为纳米量级的多孔结构的工艺。用电化学方法制备出孔径为纳米量级的多孔阳极氧化铝模板......
二维纳米阵列结构因其重要的光学性能被广泛应用于各类光电子器件。本文对自组装单层SiO2纳米球掩模刻蚀法制备GaAs纳米柱二维阵列......
针对体硅MEMS加工技术的特点,确定了悬浮微结构的加工工艺流程,并对加工过程中的硅基深槽腐蚀工艺和ICP刻蚀工艺这两项关键技术及......
具有减反射效果的光学超表面已经成为当前研究的热点问题。传统的“蛾眼”结构表面能够在限定较短波长范围内实现减反增透效果,大......
以SF6/Ar为刻蚀气体,采用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀Pyrex玻璃,研究气体流量、射频功率对刻蚀速率及刻蚀面粗糙度的影响。采用正交实......
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熔石英材料的激光损伤已经成为限制高功率激光器的输出功率、制约惯性约束核聚变系统发展的重要瓶颈。激光损伤会降低光学元件的使......
碲镉汞（HgCdTe,MCT）双色器件是第三代红外焦平面探测器的典型代表。无损或者低损的微台面芯片阵列刻蚀是制备高性能双色器件的关键技......
单片光子集成是通信光电子器件最重要的发展趋势,诸多材料、结构和工艺的兼容性等基础问题迫切需要解决。宽带可调谐半导体激光器......
采用氢氧化钾乙醇溶液对刻蚀后光刻胶进行了清洗,结果表明,氢氧化钾乙醇溶液能够很好的去除掉刻蚀后的光刻胶,满足生产要求。......
采用射频磁控溅射技术在RB-SiC表面沉积Si平坦化层,通过正交试验研究了射频功率、Ar流量和工作气压三个因素对薄膜表面质量和形貌......
晶体硅(c-Si)是当今电子和光伏行业最重要的半导体材料之一,但是由于其间接带隙的特性使得在这种能带结构下电子和空穴要复合发射......
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格因其独特的能带结构和天然的材料优势被视为是第三代高性能长波红外焦平面探测器的优选材料。尤其近年来随着......
共振纳米结构因具有定向散射光的特性,被广泛用于制备有效的抗反射涂层,随着纳米阵列结构制备工艺的迅速发展,通过在材料表面制备......
使用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在光刻过程中采用不同厚度的光刻胶,研究在同一刻蚀条件下不同光刻胶厚度对刻蚀......
随着MEMS传感器应用越来越普及,在对其加工工艺的要求也在不断提高。作为MEMS器件加工的一项关键技术——ICP刻蚀技术,因其刻蚀过......
随着MEMS技术中硅基高深宽比微细结构和3-D封装中穿透硅通孔技术的应用,硅的感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术成为国内外研究的热点。......
作为第三代红外焦平面器件的突出代表，由响应两个不同波段的光电二极管在探测芯片纵向上叠加的红外双色探测器，具有高度集成、高可靠......
刻蚀是SiC器件制备过程中的一项关键工艺。由于SiC材料的高硬度及稳定的化学性质,普通的湿法刻蚀无法获得可行的刻蚀速率。目前,常......
碳化硅(SiC)材料具有宽禁带、高热导率、高击穿电场、高载流子饱和漂移速度等优异特性,因此特别适合制作高压、高功率的半导体电力......
从ICP刻蚀装置、ICP刻蚀技术及模拟模型以及可用于ICP刻蚀模拟的CAD工具研究现状等几方面,对ICP刻蚀过程中所涉及的原理和模型做了......
热障涂层材料(TBC)能够应用于航空发动机涡轮叶片等许多尖端领域,这种材料是一种能够缓冲外界热量进入表面合金的低热导率材料。研......
随着GaN基发光二极管(LEDs)的快速发展,LED以其优越的性能正逐渐替代传统照明器件被广泛应用在各个领域,它不仅具备发光效率高、响......
随着MEMS器件不断朝着高集成度和低功耗等方向发展,对传统的封装方式提出了新的挑战。硅通孔技术是三维集成电路中,利用先进的封装......
