MOS电容相关论文
一氧化氮退火是目前业内界面钝化的主流工艺，而钝化效果与一氧化氮退火的条件密切相关，因此选取合适的退火条件提高界面质量显得尤为......
A high-permittivity (high-k) material is applied as the gate dielectric layer in a silicon metal-oxide-semiconductor (MO......
钛酸钡材料(BaTiO_3,BTO)沉积到Si基板之后形成的BTO/Si异质结构在MOS晶体管、太阳能电池等领域表现出了巨大的应用潜力。对于这种......
碳化硅（SiC）是近年来备受瞩目的第三代半导体之一,因其宽禁带,高击穿场强,高导热率被广泛应用在高温、高压、大功率电力电子器件领域......
学位
碳化硅(SiC)半导体由于其优异的物理和电学特性,近些年越来越引起人们广泛地关注,是应用于高温、高压和大功率电子器件领域的热门......
InAlAs与InGaAs，InAs等具有良好的晶格匹配，及InAlAs对载流子具有强的阻挡性，常被用作势垒层和表面阻挡层。一般的HEMT器件存在漏电大......
随着MOS器件尺寸不断缩小,器件内沟道电场和电流密度激增,高电场诱生大量的界面态从而导致器件性能退化。本文研究相同工艺条件下,......
半导体热氧化过程中,不可避免会沾污Na离子,造成MOS电容的C-V曲线平带电压漂移。在1 200℃下热氧化,生成SiC/SiO2界面,进而制作MOS......
在可商业获得的N型6H-SiC晶片上,通过化学气相淀积,进行同质外延生长,在此结构材料上,制备MOS电容.详细测量并分析了6H-SiCMOS电容......
