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采用AZ1500光刻胶作为掩模对GaAs和InP进行ICP刻蚀, 研究了刻蚀参数对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响。结果表明, 光刻胶的碳化变......
二氧化钛是一种非常有应用前景的材料。拥有独特的光催化特性,更有着非常好的光学性质,如折射率高、可见光到红外的宽透明窗口、低......
现代脉冲功率技术对于开关的要求越来越高,作为宽禁带半导体的典型代表,碳化硅(SiC)具有宽禁带高临界场强高热导率等优势。漂移阶......
低热导率介质层材料可以用于航空发动机涡轮叶片表面保护层等尖端领域,可缓冲外界热量进入合金基底,从而提高基底材料的耐高温和抗......
高场强非对称波形离子迁移谱(FAIMS)技术是一种广谱离子分离技术,它利用被测物质的离子迁移率在高低场强下的不同来实现物质的分离......
随着各种混合信号电路的性能和集成度的迅速提高以及对电路模块和元器件小型化的需要,集成无源技术成为一种取代分立无源器件以达......
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在N-on-P型In0.78Al0.22As/In0.78Ga0.22As外延材料上,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制备了背照射640×1线列InGaAs探测器芯......
