垂直腔面发射激光器(VCSEL)相关论文
对不同氧化孔径尺寸的高速, 低能耗的垂直腔面发射激光器(VCSEL)进行了相对强度噪声(RIN)分析.小氧化物尺寸孔径的VCSELs器件更适......
在偏〈111〉A 2°的GaAs (100) 衬底上生长了Al0.9Ga0.1As /Al0.2Ga0.8As周期结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片.P 型DBR的周......
采用圆点传输线模型(CDTLM),对基于非磁性材料Cr/Au的垂直腔面发射激光器(VCSEL)n型GaAs欧姆接触系统进行了研究.实验结果表明,在4......
新出现的直接跃迁GaInNAs与具有高反射率的AlAs/GaAs分布布拉格反射镜相结合构成了GaAs基长波长(1.3～1.6μm)垂直腔面发射激光器(VC......
垂直腔面发射激光器因与传统的边发射激光器有不同的结构,所以在光互联、光存储、光通信等方面得到了越来越广泛的应用.文章概述了......
与传统的端发射半导体激光器相比,垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)具有可单模输出,光束对称性好,可被高度聚焦,进入光纤的耦合效......
研制了双面键合长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL),有效克服了传统外延生长方法存在的诸多难题。通过对布拉格反射镜、有源区和光学......
利用特征矩阵法分析推导了分布布拉格反射镜(DistributedBraggReflector,DBR)的反射率公式,在此基础上对渐变折射率型DBR进行了数......
主要对基于垂直腔面发射激光器(VCSEL)的光功率-电流模型(L-T)可靠性进行了研究.综合运用非线性最小二乘法、多项式拟合及数值计算......
键合长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)的研制对于光通信的发展具有重要意义,可以有效克服传统外延生长方法的诸多难题。文章通过对......
设计基于原子相干布居俘获原理（CPT）的原子钟系统中垂直腔面发射激光器（VCSEL）控制器，其包括20mA量程、低噪声、精密直流稳流电源、介绍......
针对高速芯片间光互连的应用，利用垂直腔面发射激光器（VCSEL）列阵作为光源、PIN列阵作为探测器，采用并行光传输的方式，设计了高密度的12......
设计了一种具有内腔耦合层的850 nm液晶可调谐垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构,从而获得了更宽的波长调谐范围以及稳定的偏振模式输......
提出了一个适用于电场探头的垂直腔面发射激光器（VCSEL）的PSpice等效电路模型。该模型以VCSEL的速率方程为基础,将速率方程表征为线......
提出了相位共轭镜(PCM)与外腔垂直腔面发射激光器(VCSEL)相结合的双耦合腔结构,利用相位共轭反馈(PCF)来控制外腔VCSEL的非线性特......
砷化镓（GaAs）基材料作为第二代半导体的代表,具有电子迁移率高、能量转换效率高、介电常数小等优点,作为制备光电子器件的材料有着无......
半导体激光器（Semiconductor lasers,SLs）因其体积小、成本低和可靠性高等优势,在通信、科技、研究和生活等领域都占有极其重要的地......
学位
激光剥离(LLO)技术是研制新型氮化镓(GaN)基谐振腔结构光电子器件的关键技术。然而LLO后的GaN表面往往具有较大的粗糙度,而制作谐......
基于自旋反转模型(SFM),理论研究了双混沌光注入时偏振混沌信号的带宽特性。研究结果表明,与单混沌光注入方式相比,双混沌光注入方......
有源区设计是半导体激光器设计的核心部分，其材料、参数的选择将直接决定激光器的最终属性，而有源区设计的关键之处在于其能带结构分......
垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）具有发散角小、谐振腔短、阈值电流低等优点,使其在光信息、光互联以及光纤耦合方面有着广泛的应用......
利用模型固体理论、k．p理论和Pikus-Bir理论，研究了InGaAs／GaAsP应变补偿量子阱，得出了较为简单通用的设计方法；进而研究了阱宽、InGaAs......
介绍了有关并行光发射模块设计与制作的最新进展,制作并测试了12信道并行光发射模块,单信道传输速率大于2.5 Gbit/s(最高可达3 Gbi......
考虑到瓦注入耦合特有的非线性效应，建立了互注入式垂直腔面发射激光器（VCSEL）的理论模型，推导了系统注入锁定范围的解析表达式，理论研......
垂直腔面发射激光器(VCSEL)较之传统的边发射激光器来说具有低阈值、单纵模工作、发散角小、动态调制频率高、易实现二维集成等优......
针对铷原子能级跃迁对光谱的特殊需求,设计并制备了795 nm单模垂直腔面发射激光器(VCSEL)。根据对VCSEL的光场和模式的分析和计算......
期刊
由于半导体激光器具有体积小、结构简单、质量轻、转换效率高、可靠性好、寿命长、易于调制及与其他半导体器件易于集成等特点,可......
采用新型垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为激光自混合振动测量系统的激光光源,针对不同驱动信号频率(1 kHz,2 kHz)、驱动信号幅度(88......
垂直腔面发射激光器(VCSEL)较之传统的边发射激光器来说具有低阈值、单纵模工作、发散角小、动态调制频率高、易实现二维集成等优......
随着对带宽需求的增大,电互连已经成为高速处理器与高速网络之间的一个瓶颈。因此,用光互连取代电互连,已经成为必然的发展趋势。......
随着对带宽需求的增大,电互连已经成为高速处理器与高速网络之间的一个瓶颈。因此,用光互连取代电互连,已经成为必然的发展趋势。......
垂直腔面发射激光器(VCSEL)较之传统的边发射激光器来说具有低阈值、单纵模工作、发散角小、动态调制频率高、易实现二维集成等优......
采用等效法布里 -珀罗 (F- P)腔方法对垂直腔面发射激光器 (VCSEL)的上、下两层分布布喇格反射 (DBR)结构的特性进行了研究 ,计算......
考虑垂直腔面发射激光器(VCSEL)在稳态时载流子数和光子数关系,改进了工作电流与输出光功率强度(L-I)模型的经验公式,利用交替方向......
概述了近年来发展迅速的以垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为发光器件的发射模块的结构,以及半导体激光器的特性.在了解了半导体激光......
提出基于双光反馈下垂直腔面发射激光器(VCSELs)输出的正交偏振分量混沌振荡来同时获取两路物理随机数(PRN)的方案,数值分析了不同......
