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在N型AlxGa1-xN(x=0.19～0.25)薄膜表面热蒸发Au金属薄膜,经过退火后制成MSM结构的光电器件.测试其I-V曲线,从金属-半导体MSM结构肖特基二极管的理论模型推导了这种新型紫外器件的理想伏安特性,并将实验结果与理论模型相拟合,为制造导弹来袭紫外告警探测器提供研究依据.
Au-AlxGa1-xN MSM结构紫外光电二极管伏安特性研究
【摘 要】
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在N型AlxGa1-xN(x=0.19～0.25)薄膜表面热蒸发Au金属薄膜,经过退火后制成MSM结构的光电器件.测试其I-V曲线,从金属-半导体MSM结构肖特基二极管的理论模型推导了这种新型紫外器
【机 构】
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中国空空导弹研究院
【出 处】
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航空兵器
【发表日期】
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2005年5期
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