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【摘 要】
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采用射频磁控溅射技术和复合靶材的方法,在p型单晶Si衬底上制备SiC薄膜及Co掺杂SiC薄膜。在真空度为1.0×10-4Pa、温度为1 200℃条件下,保温1 h进行晶化处理。通过X射线衍射(
【机 构】
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天津理工大学天津市光电显示材料与器件重点实验室教育部光电材料与显示器件重点实验室,
【出 处】
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光电子.激光
【发表日期】
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2010年08期
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