【摘 要】
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为了减少磁控溅射法沉积MgF2薄膜的F贫乏缺陷,在工作气体Ar2中加入SF6作为反应气体,在石英玻璃衬底上用射频磁控溅射法制备了MgF2薄膜,研究了溅射功率对MgF2薄膜化学成分、微
【机 构】
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天津工业大学材料科学与工程学院,天津工业大学分离膜材料与膜过程国家重点实验室,北京空间飞行器总体设计部
【基金项目】
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National Natural Science Foundation of China(51352002)
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为了减少磁控溅射法沉积MgF2薄膜的F贫乏缺陷,在工作气体Ar2中加入SF6作为反应气体,在石英玻璃衬底上用射频磁控溅射法制备了MgF2薄膜,研究了溅射功率对MgF2薄膜化学成分、微观结构和光学性能的影响。结果表明,随着溅射功率从115 W增加到220 W,F:Mg的原子比不断增加,185 W时达到2.02,最接近理想化学计量比2:1;薄膜的结晶度先提高后降低,最后转变为非晶态;MgF2薄膜的颗粒尺寸先是有所增加,轮廓也变得更加清晰,最后又变得模糊。MgF2薄膜的折射率先减小后增大,在185 W时获得最低
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