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InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱中的子带弛豫过程
InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱中的子带弛豫过程
来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:eastfoot01
【摘 要】
:
利用时间光辨光谱技术,在11 ̄90K温度范围研究了不同阱宽的InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱子带弛豫过程,讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用。
【作 者】
:
金世荣
罗晋生
褚君浩
徐仲英
袁之良
罗昌平
许继宗
郑宝
【机 构】
:
中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院半导体研究所,西安交通大学微电子研究室
【出 处】
:
红外与毫米波学报
【发表日期】
:
1995年3期
【关键词】
:
子带间弛豫
应变层量子阱
铟镓砷
激子
intersubband relaxation
strained-layer quantum wells
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利用时间光辨光谱技术,在11 ̄90K温度范围研究了不同阱宽的InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱子带弛豫过程,讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用。
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