InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱中的子带弛豫过程

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:eastfoot01
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利用时间光辨光谱技术,在11 ̄90K温度范围研究了不同阱宽的InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱子带弛豫过程,讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用。
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