双异质外延SOI材料Si／γ-Al2O3／Si的外延生长

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gtrfanfan

【摘要】

：

利用MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition)和APCVD(atmosphere chemical vapor deposition)硅外延技术在Si(100)衬底上成功地制备了双异质Si／γ-Al2O3／Si SOI材料．利

【作者】

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谭利文王俊王启元郁元桓邓惠芳王建华林兰英

【机构】

：

中国科学院半导体研究所材料科学中心

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2003年12期

【关键词】

：

SOI MOCVD 双异质外延 Si/γ-Al2O3/Si 外延技术 SOI MOCVD double heteroepitaxial Si/γ-Al_2O_3

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利用MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition)和APCVD(atmosphere chemical vapor deposition)硅外延技术在Si(100)衬底上成功地制备了双异质Si／γ-Al2O3／Si SOI材料．利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)及俄歇能谱(AES)对材料进行了表征．测试结果表明，外延生长的γ-Al2O3和Si薄膜都是单晶薄膜，其结晶取向为(100)方向，外延层中Al与O化学配比为2：3．同时，γ-Al2O

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