【摘 要】
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为提高半导体超辐射器件的输出功率 ,采用直接耦合的方法 ,将超辐射发光管 (SL D)与半导体光放大器 (SOA)单片集成 ,制得了 1.3μm超辐射集成光源 ,其脉冲输出功率为 50 m W,
【机 构】
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为提高半导体超辐射器件的输出功率 ,采用直接耦合的方法 ,将超辐射发光管 (SL D)与半导体光放大器 (SOA)单片集成 ,制得了 1.3μm超辐射集成光源 ,其脉冲输出功率为 50 m W,光谱宽度 (FWHM)为 2 8.9nm。通过对放大器增益特性的讨论 ,得出了既能稳定器件性能 ,又可以提高输出功率的有效工作方案。
In order to improve the output power of the semiconductor super-radiation device, a direct coupling method was used to monolithically integrate a superluminescent diode (SL D) with a semiconductor optical amplifier (SOA) to obtain a 1.3 μm superluminescent integrated light source with a pulse output power of 50 mW, spectral width (FWHM) of 2 8.9nm. Through the discussion of gain characteristics of the amplifier, an effective working scheme that can both stabilize the performance of the device and increase the output power is obtained.
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