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通过大量辐照实验分析了采用不同工艺和不同器件结构的薄膜短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件的抗辐照特性，重点分析了Ｈ２－Ｏ２合成氧化和低温干化形成的薄氧化层，ＣｏＳｉ２／多晶硅复合栅和多晶硅栅以及环形栅和条形栅对ＭＣＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件辐照特性的影响，最后得到了薄短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件的抗核加固方案要。