GaAs MESFET旁栅效应与旁栅距的关系研究

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旁栅效应是影响GaAs器件及电路性能的有害寄生效应.本文研究了旁栅阈值电压Vth SG与旁栅距LSG的关系,发现Vth SG的大小与LSG成正比关系,并理论探讨了产生这一现象的机制,从而验证了旁栅阈值电压与旁栅距关系的有关理论.
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