【摘 要】
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新型高成品率０．４μｍ ＧａＡｓ工艺《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ》１９９３年第１５期报导，美国弗吉尼亚州国际电话电报（ＩＴＴ）公司ＧａＡｓ技术中心开发了一种新型的０．４卜ｍ多功能自对准栅（ＭＳＡＧ）工艺。与其它ＧａＡｓ大规模集成电路所用的工...
New High Yield 0.
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新型高成品率０．４μｍ ＧａＡｓ工艺《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ》１９９３年第１５期报导，美国弗吉尼亚州国际电话电报（ＩＴＴ）公司ＧａＡｓ技术中心开发了一种新型的０．４卜ｍ多功能自对准栅（ＭＳＡＧ）工艺。与其它ＧａＡｓ大规模集成电路所用的工...
New High Yield 0.4μm GaAs Process “SemiconductorWorld” No 15 of 1993 reported that the GaAs Technology Center of the International Telephone and Telegraph Company (ITT) in Virginia, USA, has developed a novel 0.4 Bu m multifunction self-aligned gate MSAG) process. GaAs and other large-scale integrated circuits used in ...
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