【摘 要】
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采用磁控溅射方法,通过不同工艺的退火处理,制备了光电性能优良的TiO2基紫外探测器。通过紫外光电性能测试、扫描电子显微镜（SEM）观察及X射线衍射（XRD）分析,研究了退火工艺对探测
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采用磁控溅射方法,通过不同工艺的退火处理,制备了光电性能优良的TiO2基紫外探测器。通过紫外光电性能测试、扫描电子显微镜（SEM）观察及X射线衍射（XRD）分析,研究了退火工艺对探测器光电性能的影响规律。结果表明：随着退火温度的增加,TiO2晶粒尺寸显著增大,晶界和缺陷数量的变化是导致TiO2基紫外探测器的光电性能随退火工艺变化的根本原因。经500℃/2h退火后,紫外探测器的光电流高出暗电流近2.5个数量级,紫外波段的光响应高出可见光波段近2个数量级,所制备紫外探测器达到了高辐射灵敏度和可见盲特性的要求。
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