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阐述了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的工作原理及器件的设计方案. 并设计出激射波长为980 nm,InGaAs/GaAs多量子阱作为发光材料,氧化物限制电流,衬底面出光的基横模低阈值的器件结构.
垂直腔面发射激光器的原理与设计
【摘 要】
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阐述了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的工作原理及器件的设计方案. 并设计出激射波长为980 nm,InGaAs/GaAs多量子阱作为发光材料,氧化物限制电流,衬底面出光的基横模低阈值的器
【机 构】
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华南师范大学量子电子学研究所MOCVD室
【出 处】
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华南师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2001年3期
【基金项目】
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国家科技攻关项目
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