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在高纯半绝缘4H—SiC偏8°衬底上同质外延生长了高质量的外延层，利用X射线双晶衍射、原子力显微镜（AFM）、汞探针C-V以及霍尔效应等测试方法，对样品的结晶质量、表面粗糙度、掺杂浓度以及电子迁移率进行了分析测试，证实外延层的结晶质量相对于衬底有着很大的改善。在同质外延7．5μm的外延层后，其半高宽从衬底的30．55arcsec减小到27．85arcsec；外延层表面10μm×10μm的粗糙度（RMS）为0．271nm；室温下，样品的掺杂浓度为1×10^15cm^-3时，霍尔