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采用KOH刻蚀工艺制作硅垂直互连用通孔，淀积SiO2作为硅垂直互连的电绝缘层，溅射Ti和Cu分别作为Cu互连线的黏附层／扩散阻挡层和电镀种子层。电镀10μm厚的Cu作为硅垂直互连的导电层。为实现金属布线的图形化，在已有垂直互连的硅片上试验了干膜光刻工艺。采用化学镀工艺，在Cu互连线上沉积150-200nm厚的NiMoP薄膜作为防止Cu腐蚀和Cu向其上层介质扩散的覆盖层。高温退火验证了Ti阻挡层和NiMoP覆盖层的可靠性。