从In组分、生长温度和As BEP 3个参数出发,利用RHEED和STM技术深入研究了In_xGa_1-xAs/GaAs异质薄膜的临界厚度。研究发现In的组分直接决定了In_xGa_1-xAs/GaAs异质薄膜的临界厚度,而生长温度和As BEP的差异也在很大程度上对临界厚度产生重要影响。在特定的生长温度和As BEP下,In_xGa_1-xAs/GaAs的临界厚度随着In组分的减小呈指数增加,尤其是当In组分<20%时临界厚度将趋于无穷大。对于特定In组分的In_xGa_1-xAs/GaAs异质薄膜来说,当生长温度相同时,临界厚度随着As BEP的增加而迅速增大;而在As BEP相等时,临界厚度将随着生长温度的增加而减小;不同生长温度之间临界厚度的差异将随着As BEP的减小而不断减小,到更低As BEP时甚至将趋于相等。