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对电流在氮化硅陶瓷放电等离子烧结过程中的作用进行了研究，采用放电等离子烧结工艺，分别对含助烧剂（Y2O3／MgO）氮化硅（α-Si3N4）粉体，以及用纯氮化硅粉体包覆的含助烧剂粉体进行了烧结；并且考虑到包覆层引起的试样烧结温度的差异，在较低温度进行了无包覆试样烧结。实验结果表明：包覆层明显抑制了氮化硅陶瓷的相转变及晶粒生长。通过与低温烧结试样进行对比，排除了包覆层引起的温度差异的影响，认为是SPS电场在氮化硅的烧结过程中通过导电的液相形成电流，促进了溶解在液相中的氮化硅的扩散，从而加快了相转变及柱状晶生长