La2/3(CaXBa1-X)1/3MnO3材料的绝缘体-金属转变与晶界效应

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用固相反应法制备了La2/3(CaxBa1-x)1/3MnO3(x=0.00,0.40,0.45,0.55,0.60,1.00)六种多晶CMR材料,并测量了在77K~350K范围内零磁场和0.4T外磁场下的电阻率。这些样品都出现了双电阻峰结构,采用Mott转变表达式ρ~exp(T0/T)1/4拟合了实验数据,结果表明高温峰的转变是绝缘体-金属(I-M)转变,而低温峰不是I-M转变峰,用自旋极化电子隧道效应和局域化模型解释了电阻和磁电阻行为。此外,在x=0.4~0.6掺杂范围内样品呈现出异常的电阻行为。 Six kinds of polycrystalline CMR materials of La2 / 3 (CaxBa1-x) 1 / 3MnO3 (x = 0.00,0.40,0.45,0.55,0.60,1.00) were prepared by the solid-state reaction method and measured in the range of 77K-350K Magnetic field and magnetic field 0.4T external resistivity. The results show that the transition of high temperature peak is insulator-metal (IM) transition, while the low temperature peak Instead of the IM transition peak, the resistance and magnetoresistance behavior is explained by the spin-polarized electron tunneling and localization models. In addition, the samples exhibit anomalous resistive behavior in the doping range of x = 0.4-0.6.
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