【摘 要】
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对高频下的SiGe HBT器件击穿特性进行了研究。借助TCAD仿真工具,分析了影响器件击穿特性的基区Ge分布与集电区掺杂浓度超结结构。在3种不同Ge分布下,仿真结果表明,基区Ge的均
【机 构】
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重庆邮电大学光电工程学院,模拟集成电路重点实验室,
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对高频下的SiGe HBT器件击穿特性进行了研究。借助TCAD仿真工具,分析了影响器件击穿特性的基区Ge分布与集电区掺杂浓度超结结构。在3种不同Ge分布下,仿真结果表明,基区Ge的均匀分布有利于提高击穿电压;同时将超结结构引入集电区后,SiGe HBT器件的击穿电压提高了36%,由2.5V提高到3.4V。
The breakdown characteristics of SiGe HBT devices at high frequencies were investigated. With the help of TCAD simulation tool, the base Ge distribution and the collector concentration doping concentration superjunction structure that affect the device breakdown characteristics are analyzed. Under the three different Ge distributions, the simulation results show that the uniform distribution of Ge in the base region can improve the breakdown voltage. Meanwhile, the super-junction structure is introduced into the collector region, the breakdown voltage of SiGe HBT device is increased by 36% from 2.5 V increased to 3.4V.
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