不同双栅极设计对a-Si:H TFT特性影响

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【摘要】

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本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下,通过增加不同的顶栅极设计方式（不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例）来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响。实验

【作者】

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林致远马骏林亮杨成绍邹志翔黄寅虎文锺源王章涛

【机构】

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合肥鑫晟光电科技有限公司

【出处】

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液晶与显示

【发表日期】

：

2016年5期

【关键词】

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高开口率高级超维场转换技术非晶硅薄膜电晶体双栅极

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本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下,通过增加不同的顶栅极设计方式（不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例）来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响。实验结果显示双栅极a-Si TFT比现行单底栅a-Si TFT可以提升I_（on）7%、降低SS 3%、同时对I_（off）以及TFT稳定性影响不明显,显示双栅极a-Si TFT设计结构具有在不提高成本以及不变更工艺流程下,达到整体提升TFT特性的效果。顶栅极TFT特性不如底栅极,推测为a-Si/PVX界面不佳使得电子导通困

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