VOx薄膜的sol-gel法制备

来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：delphiall

【摘要】

：

通过对工艺条件的研究,解决了钒有机溶胶与基片的亲水性问题,提出了成膜牢固的亲水处理方法,制备出了无裂纹、致密性好的VOx薄膜.测量结果表明,520 ℃热处理条件下的VOx薄膜

【作者】

：

曾亦可吴帮军姜胜林邓传益

【机构】

：

华中科技大学电子科学与技术系

【出处】

：

电子元件与材料

【发表日期】

：

2007年4期

【关键词】

：

电子技术 VOX SOL-GEL 薄膜 R-T特性 electron technology VOx sol-gel thin film R- t cha

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通过对工艺条件的研究,解决了钒有机溶胶与基片的亲水性问题,提出了成膜牢固的亲水处理方法,制备出了无裂纹、致密性好的VOx薄膜.测量结果表明,520 ℃热处理条件下的VOx薄膜样品的平均电阻温度系数达到了3.95 % K-1.而470 ℃热处理下的VOx薄膜样品,其升降温阻温特性一致性很好,可用作高灵敏度红外探测器敏感元材料.

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