【摘 要】
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采用热蒸发法在硅片上沉积了不同微结构的硒化钨(WSe2)薄膜,研究了薄膜的晶体结构和光电特性。发现WSe2薄膜在(004)晶面择优生长,表面呈现垂直柱状纳米线。同时,WSe2薄膜在40
【基金项目】
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江苏省“十三五”重点学科项目(20168765),苏州科技大学科研基金项目(XKZ201609),江苏省研究生科研创新计划项目(KYCX18_2551)
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采用热蒸发法在硅片上沉积了不同微结构的硒化钨(WSe2)薄膜,研究了薄膜的晶体结构和光电特性。发现WSe2薄膜在(004)晶面择优生长,表面呈现垂直柱状纳米线。同时,WSe2薄膜在406 nm处出现较强的蓝光发射,这是由于量子尺寸效应导致的WSe2导带与价带形成的分离能级产生的短波长发射,使其可用于制备蓝光发光器件。另外,发现该WSe2薄膜对光照和温度非常敏感。随温度升高薄膜的电阻率显著减小,使其可用于制备温度传感器;随光照射强度增加由0增加到25 mW·cm^(-2),WSe2薄膜的I-V曲线
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