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深入研究了MOSFET输出阻抗对Gilbert混频器线性度的影响,建立了针对MOSFET输出阻抗的混频器非线性模型,得出了Gilbert混频器线性度最优偏置条件.基于0.25 μm CMOS工艺的Gilbert混频器验证结果表明,预测得到的线性度最优理论偏置值与验证结果之间的误差小于10%.
MOSFET输出阻抗对混频器线性度影响分析
【摘 要】
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深入研究了MOSFET输出阻抗对Gilbert混频器线性度的影响,建立了针对MOSFET输出阻抗的混频器非线性模型,得出了Gilbert混频器线性度最优偏置条件.基于0.25 μm CMOS工艺的Gilb
【机 构】
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东南大学
【出 处】
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应用科学学报
【发表日期】
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2005年2期
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