偏置条件相关论文
近年来,人们对空间探索工作的飞速开展,在空间辐射环境中运行的航天器也越来越多,对能长期工作于辐射、极低温等恶劣极端环境中的......
随着信息科学和互联网技术的快速发展,人们可以容易地获取大量的图像信息。但由于图像数量很大,人工用肉眼来分析图像内容变得不现......
对1 Mb静态随机存取存储器(SRAM)进行了不同偏置条件下的总剂量辐照效应研究。结果表明,试验选取的CMOS SRAM器件为总剂量辐射敏感......
对10位CMOSADC7910在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应......
研究了国产互补双极工艺生产的数模转换器（D／A转换器）在不同偏置和不同剂量率条件下的电离辐射效应及退火特性。研究结果表明：D／A转换器......
使用以PSPICE软件为内核的虚拟电子工作平台进行电子线路仿真时,常会碰到按常规电路构成方法所编写的输入文件不能在该平台上正常......
研究了10位双极模数转换器（ADC）在60Coγ射线不同剂量率、不同偏置条件辐照下的电离辐射效应及退火特性。研究结果发现,此类模数混合......
深入研究了MOSFET输出阻抗对Gilbert混频器线性度的影响,建立了针对MOSFET输出阻抗的混频器非线性模型,得出了Gilbert混频器线性度......
通过对不同偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响进行研究,结果发现随着总剂量的增加,光耦合器电流转换率CTR会降低60%～80%,且输......
介绍了LM837双极运算放大器分别在不同能量（1.8、1 MeV）不同束流、相同能量不同束流电子辐照环境中的响应特性及变化规律。分析了不......
空间辐射环境是影响航天电子设备长期稳定运行的重要因素，是当前航天电子技术研究的重点。针对目前国内主要的电离总剂量辐照试验标......
本文研究了1 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,偏置条件对国产0.35μm SiGe BiCMOS工艺器件电离总剂量(Total ionizing dose,TID)辐射效......
为了对比研究不同厂家不同SiGe HBTs器件的总剂量辐射损伤效应以及在不同偏置不同剂量率条件下SiGe HBTs器件的辐射响应规律和潜在......
随着DSP芯片在航天器和卫星系统中的应用越来越广泛，DSP芯片在空间应用时产生的辐射效应必须重点关注，所以针对DSP芯片总剂量效应的......
晶体三极管三个区的工作状态特点可概括为以下三句话:三极管工作在饱和状态时发射结正偏,集电结也正偏;工作在放大状态时发射结正......
晶体三极管三个区的工作状态特点可以简单的概括为以下三句话，即：饱和状态时发射结和集电结均正偏；截止状态时发射结和集电结均反偏；放......
