【摘 要】
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p SiTFT与非晶SiTFT相比较,其元件性能要高100多倍,可以将周边电路集成到玻璃基板上,减少驱动像素的外部IC数量,并且也使连接端子数减少到1/20,大大地提高了产品的可靠性
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p SiTFT与非晶SiTFT相比较,其元件性能要高100多倍,可以将周边电路集成到玻璃基板上,减少驱动像素的外部IC数量,并且也使连接端子数减少到1/20,大大地提高了产品的可靠性。除此之外,它还具有缩小像素TFT尺寸,易实现高清晰化等优点。另外,由于使用了耗电量小的CMOS,可以将各
p SiTFT compared with amorphous SiTFT, its component performance higher than 100 times, you can integrate the peripheral circuit to the glass substrate to reduce the number of external pixels driving the pixel, but also to reduce the number of terminals to 1/20, greatly Improve product reliability. In addition, it also has reduced pixel TFT size, easy to achieve the advantages of high definition. In addition, due to the use of small power CMOS, you can
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