硫粉气化温度对制备WS2薄膜的影响

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采用熔融盐辅助化学气相沉积(CVD)法在蓝宝石(Al_2O_3)衬底上制备WS_2薄膜,改变硫粉的气化温度(750~800℃),探寻其对WS_2薄膜生长的影响,为制备出大面积WS_2薄膜提供理论依据。采用光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM)和拉曼(Raman)光谱对WS_2薄膜的形貌、结晶性和厚度进行分析。800℃时,WS_2薄膜平均边长可达310μm,Raman特征峰的波数差为64.60 cm~(-1)(单层)。随着硫粉气化温度的升高,WS_2薄膜的生长经历了形貌及尺寸的转变,这表明在沉积过程中,硫粉引
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